雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性測(cè)試結(jié)果表明雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測(cè)量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對(duì)退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對(duì)InP單晶襯底的影響。 深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS),X射線衍射等方法分別研究了退火前后雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管材料的性質(zhì)和缺陷.結(jié)果表明受高溫?zé)峒ぐl(fā)作用部分鐵原子由替位轉(zhuǎn)變?yōu)樘钕?導(dǎo)致InP材料缺少深能級(jí)補(bǔ)償中心而發(fā)生導(dǎo)電類型轉(zhuǎn)變.通過(guò)比較摻雜、擴(kuò)散和離子注入過(guò)程Fe原子的占位和激活情況分析了這一現(xiàn)象的機(jī)理和產(chǎn)生原因. 包括雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管團(tuán)狀結(jié)構(gòu)位錯(cuò)的產(chǎn)生及其對(duì)晶格完整性的影響,坑狀微缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質(zhì)的清洗腐蝕等.對(duì)雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途徑進(jìn)行了分析.在此基礎(chǔ)上獲得了“開盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面無(wú)損傷的InP單晶襯底拋光片.高溫退火后摻鐵半絕緣(SI)InP單晶轉(zhuǎn)變?yōu)閚型低阻材料.利用霍爾效應(yīng)(Hall),熱激電流譜(TSC)。